摘要：運用密度泛函方法在（U）B3LYP／LanL2DZ水平上研究了四棱柱、五棱柱、六棱柱和七棱柱型封裝Cd硅納米管的幾何結構、電荷布局、能級和電偶極矩．計算結果表明，四棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅納米管的最低能結構都是自旋單重態，四棱柱和五棱柱型Cd硅納米管畸變比較嚴重，已經失去管狀結構．四棱柱型Cd硅納米管的原子平均結合能最大，是這四種棱柱型Cd硅納米管中熱力學穩定性最強的．這四種棱柱型Cd硅納米管的電荷都是由Cd原子轉向Si原子的，Cd原子是電荷的施體；Si原子是電荷的受體，Cd原子與硅原子之間以共價鍵結合．五棱柱型Cd硅納米管HOMO-LUMOGap最大，它的化學活性最強，而四棱柱型Cd硅納米管的HOMO-LUM0能隙最小，它的化學穩定性最強，不易和其他物質發生化學反應．四棱柱型Cd硅納米管的總電偶極距為零，該結構是非極性的，而五棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅納米管是極性的，且五棱柱型Cd硅納米管的極性最強．