首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術(shù) > 信息科技 > 無線電電子學 > 液晶與顯示 > 基于微結(jié)構(gòu)陣列基板的高效頂發(fā)射OLED器件 【正文】
基于微結(jié)構(gòu)陣列基板的高效頂發(fā)射OLED器件
王江南; 丁磊; 倪婷; 寧舒雅; 張方輝 陜西科技大學電氣與控制工程學院; 陜西西安710021
- 頂發(fā)射oled器件
- 微結(jié)構(gòu)陣列
- 納秒激光刻蝕
摘要：為了提高頂發(fā)射OELD的效率,降低電壓,基于納秒激光刻蝕技術(shù)制備了一種用于頂發(fā)射OLED的低成本可重復(fù)的方形微結(jié)構(gòu)陣列基板,在此基礎(chǔ)上制備了頂發(fā)射OLED器件。實驗發(fā)現(xiàn),利用這種基板可以有效提高器件的出光效率,降低器件的驅(qū)動電壓。其中,使用20μm的方格微結(jié)構(gòu)陣列基板的器件的最高效率達到66.7cd/A,40mA/cm~2下亮度達到20 103cd/m~2,相比于未經(jīng)刻蝕的無結(jié)構(gòu)器件分別提高9.8%和6.9%;而使用40μm的方格微結(jié)構(gòu)陣列基板的器件驅(qū)動電壓最低,在40mA/cm~2下為9.58V,相較未經(jīng)刻蝕的無結(jié)構(gòu)器件降低了0.26V。分析表明,器件光效的提升和驅(qū)動電壓的降低主要有兩點原因:首先由于基于微結(jié)構(gòu)陣列基板制備的器件中存在褶皺結(jié)構(gòu),可以破壞器件的光波導(dǎo),并且增大了器件面積而降低驅(qū)動電壓;其次納秒激光刻蝕產(chǎn)生的光柵條紋可以提高光提取效率,同時增強局部電場以提高電極的載流子注入能力。
- 頂發(fā)射oled器件
- 微結(jié)構(gòu)陣列
- 納秒激光刻蝕
摘要：為了提高頂發(fā)射OELD的效率,降低電壓,基于納秒激光刻蝕技術(shù)制備了一種用于頂發(fā)射OLED的低成本可重復(fù)的方形微結(jié)構(gòu)陣列基板,在此基礎(chǔ)上制備了頂發(fā)射OLED器件。實驗發(fā)現(xiàn),利用這種基板可以有效提高器件的出光效率,降低器件的驅(qū)動電壓。其中,使用20μm的方格微結(jié)構(gòu)陣列基板的器件的最高效率達到66.7cd/A,40mA/cm~2下亮度達到20 103cd/m~2,相比于未經(jīng)刻蝕的無結(jié)構(gòu)器件分別提高9.8%和6.9%;而使用40μm的方格微結(jié)構(gòu)陣列基板的器件驅(qū)動電壓最低,在40mA/cm~2下為9.58V,相較未經(jīng)刻蝕的無結(jié)構(gòu)器件降低了0.26V。分析表明,器件光效的提升和驅(qū)動電壓的降低主要有兩點原因:首先由于基于微結(jié)構(gòu)陣列基板制備的器件中存在褶皺結(jié)構(gòu),可以破壞器件的光波導(dǎo),并且增大了器件面積而降低驅(qū)動電壓;其次納秒激光刻蝕產(chǎn)生的光柵條紋可以提高光提取效率,同時增強局部電場以提高電極的載流子注入能力。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
液晶與顯示
- 預(yù)計1-3個月 預(yù)計審稿周期
- 0.98 影響因子
- 電子 快捷分類
- 月刊 出版周期
主管單位：中國科學院;主辦單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所;中國物理學會液晶分會
我們提供的服務(wù)
在線客服
一對一咨詢服務(wù)、簡單快捷、省時省力
了解更多 >
快遞配送
直郵到家、實時跟蹤、更安全更省心
了解更多 >
雜志訂閱
去除中間環(huán)節(jié)享受低價，物流進度實時通知
了解更多 >
雜志推薦
正版雜志，匹配度高、性價比高、成功率高
了解更多 >