摘要：基于抗輻照0.18μm CMOS工藝,研究ESD保護器件GGNMOS結構的ESD性能。為提升電路抗輻照性能,采用薄外延襯底材料且引入場區總劑量加固工藝技術,提升電路的抗單粒子閂鎖能力SEL使之大于75MeV,同時令抗總劑量輻射能力達到300krad(Si)。在抗輻照工藝開發過程中,發現上述工藝加固措施會對器件抗ESD能力產生較大影響,因此在原有的ESD工藝基礎上,對器件結構與ESD工藝進行優化。將優化后GGNMOS器件應用于抗輻照電路的開發當中進行實際驗證,結果表明,電路的抗ESD能力大于3000V,滿足了抗輻照加固工藝的應用需求。