首頁 > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 信息科技 > 電信技術(shù) > 太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報 > 太赫茲倍頻器研究進展 【正文】
摘要:太赫茲CMOS電路具有小型化、與大規(guī)模硅基工藝兼容的特點,非常適合未來太赫茲通信以及5G通信的應(yīng)用。本文以太赫茲CMOS本振電路為切入點,調(diào)研了國際和國內(nèi)的最新CMOS倍頻器電路結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上,對推推(push-push)倍頻器、注入鎖定倍頻器以及混頻倍頻器的電路結(jié)構(gòu)和特點進行了詳細介紹。通過對以上幾種倍頻器的分析對比,總結(jié)了不同的倍頻器在實際應(yīng)用中的優(yōu)缺點,為太赫茲射頻前端小型化實際應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
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主管單位:中國工程物理研究院;主辦單位:中國工程物理研究院電子工程研究所