摘要：利用高禁帶寬度的SiC材料,設計了一種基于SiC的NPN雙極型晶體管,該晶體管采用多層緩變摻雜基區結構實現。在完成晶體管結構設計基礎上,仿真分析了晶體管的直流電流增益、擊穿特性以及頻率特性。在工藝方面,設計完成了晶體管制備工藝流程與版圖。仿真結果表明,SiC雙極型晶體管具有擊穿電壓高(BVCEO=900 V)、特征頻率高(fT=5 GHz),晶體管增益適中(β=33)等特點。