摘要：氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有優(yōu)異的材料物理特性,更加適合于下一代電力電子系統(tǒng)對功率開關(guān)器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣工作溫度的要求。為了兼容Si基CMOS工藝流程,以及考慮到大尺寸、低成本等優(yōu)勢,在Si襯底上進(jìn)行GaN材料的異質(zhì)外延及器件制備已經(jīng)成為業(yè)界主要技術(shù)路線。詳細(xì)介紹了在6英寸Si襯底上外延生長的AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)功率電子材料,以及基于6英寸CMOS產(chǎn)線制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常關(guān)型Cascode GaN器件的相關(guān)成果。